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4奈米大戰,三星搶先用EUV,擁抱GAAFET

 

發佈日期:2017-12-05

新聞類型:

 

 

    Android Authority報導,製程不斷微縮,傳統微影技術來到極限,無法解決更精密的曝光顯示需求,必須改用波長更短的EUV,才能準確刻蝕電路圖.5奈米以下製程,EUV是必 備用具。三星明年生產7奈米時,就會率先採用EUV,這有如讓三星在6奈米以下的競賽搶先起跑,可望加快發展速度。

 

    製程微縮除了需擁抱EUV,也需開發FinFET技術接班人,不少人認為「閘極全環場效晶體管」(Gate-all-around FET,GAAFET)是最佳解決方案。今年稍早,三星, 格羅方德和IBM攜手,發布全球首見的5奈米晶圓技術,採用EUV和GAAFET技術。三星路徑圖也估計,FinFET難以在5奈米之後使用,4奈米將採用GAAFET。儘管晶 圓代工研發不易,容易遇上挫折延誤,不過目前看來三星進度最快。該公司的展望顯示,計劃最快在2020年生產4奈米。(新聞來源:Money DJ)

 

 

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