鈺創科技開發了一種新DRAM架構–RPC DRAM技術，提供x16 DDR3 – LP DDR3數據頻寬，採僅使用22個開關信號之40引腳FI-WLCSP封裝，256 Mb DRAM體積為2 x 4.4 mm，所有40個引腳均採用業界標準之400微米錫球間距安裝在周邊，使其成為許多可穿戴的影音物聯網設備的理想記憶體。

鈺創科技新DRAM架構–RPC DRAM技術，提供x16 DDR3 – LP DDR3數據頻寬，採僅使用22個開關信號之40引腳FI-WLCSP封裝

 

鈺創指出，新一代的智慧型消費性電子產品皆具備多元功能交互應用，例如智慧通訊、資料影音即時傳輸等功能，而影音多媒體串流往往由於佔據大量頻寬及記憶容量，使之成為系統架構瓶頸之一，也是系統設計者面臨的最大的挑戰之一 。

 

鈺創之新型RPC DRAM具備特殊應用(ASIC)記憶體的優點，它採鈺創RPC DRAM之實體層(Physical Layer，PHY)，可有22個開關信號，而輸出共有40PHY接合墊；比一般相同頻寬之DDR3 PHY，所須的47個開關訊號 (x16 data bus)及達100 PHY接合墊，使用不到一半的接合墊，用在特殊應用之記憶體接口。

 

緩衝記憶體常被用於影音多媒體系統中，作為視訊畫面播放速率轉換、顯示緩衝、鏡頭去扭曲及陰影校正、慢動作緩衝等。最常見的需求是存儲一兩個視訊幀（即視頻速率轉換和顯示緩衝），其它如慢動作視訊緩衝則較無硬體限制，這樣情況下，DDR3 DRAM x16 BGA 封裝即可滿足其需求。

 

然而，此設計卻常會遇到穿戴式裝置的物理極限，以眼鏡型的影音傳輸播放系統為例，DDR3所提供數據頻寬已足以作為影像顯示緩衝，但受限於9x13mm BGA封裝之體積，而不易導入至小型AIOT系統架構中。

 

DDR3記憶體若採用x16規格於96引腳BGA封?，體積大約9 x 13 mm，即使改採0.8 mm間距6列16引腳，或改用256 Mb至8Gb任何容量之晶粒，其最小封?體積維持不變。

 

不同於BGA封裝，一種先進封裝技術：扇入型晶圓級晶粒尺寸封裝(Fan-In Wafer Level Chip Scale Packaging，FI-WLCSP)，先在整片晶圓上進行封裝及測試，然後才切割成單一晶片，無需經過打線及填膠程序，封裝後的晶片尺吋與晶粒幾乎一致；其沒有基板，也沒有引線接合或倒裝晶片等封裝步驟，取而代之的是：沉積的電介質、光定義的導體、接著是電鍍和錫球落下測試，所有程序都在完整的晶圓上處理完成。?

 

 

因為所有錫球必須適配於半導體晶粒的周邊，所以極不可能會將體積小晶粒用高引腳數封裝。因此，低容量記憶體較不可能採FI-WLCSP封裝，因其球間距太小而無法製造。另一方面，大容量DRAM晶粒可支持可製造的球間距，但因矽尺寸太大而無法承受熱循環應變：矽和PCB具有太大的熱膨脹係數而不匹配。

 

根據特殊應用之ASIC系統設計，假設的接合墊限制了邊緣粘合晶粒具有240個引腳，每側有60個接合墊，為DDR3接口預留了100個接合墊。

 

鈺創PRC DRAM實體層總共可節省60個(每側少15個)接合墊。比較此兩種記憶體方案，採用鈺創RPC DRAM的ASIC系統明顯小了56.25％。資料來源:【CTIMES/SmartAuto 】